Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D10650TJ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- 4-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D10650TJ
WNSC2D10650TJ Hakkında
WNSC2D10650TJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. 1.7V forward voltaj @ 10A ile düşük enerji kaybı sağlar. 0 ns reverse recovery time karakteristiği ile hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. Surface mount 4-VDFN pakajında sunulan bu diyot, güç kaynakları, invertörler, solar sistemleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | 4-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok