Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D10650DJ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D10650DJ
WNSC2D10650DJ Hakkında
WNSC2D10650DJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim kapasitesine sahip bu doğrultucu diyot, 10A ortalama doğrultulmuş akım değeri ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Schottky yapısı sayesinde sıfır ters kazanım zamanı (trr: 0 ns) sunar, bu da anahtarlama hızını artırır. 1.7V ileri gerilim düşüşü ile verimliliği maksimize eder. TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücü devrelerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok