Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D08650TJ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- 4-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D08650TJ
WNSC2D08650TJ Hakkında
WNSC2D08650TJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj derecelendirilmesi ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.7V ileri gerilim düşüşü ve 0ns ters kurtarma zamanı (trr) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 260pF kapasitans @ 1V, 1MHz karakteristiği hızlı komütasyon devrelerinde kullanımı için uygundur. Surface Mount 4-VDFN Exposed Pad paketinde sunulmakta olup, 175°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar. Ters kaçak akımı 40µA @ 650V olup, güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | 4-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok