Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D08650DJ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D08650DJ
WNSC2D08650DJ Hakkında
WNSC2D08650DJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky doğrultucu diyottur. 650V DC ters voltaj dayanımı ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.7V forward voltaj değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Reverse recovery time'ının 0 ns olması, anahtarlama hızının kritik olduğu güç kaynakları, invertörler ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde gelen bileşen, yüzey montajı teknolojisi ile PCB üzerine monte edilir. -40°C ile +175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok