Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D06650TJ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- 4-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D06650TJ
WNSC2D06650TJ Hakkında
WNSC2D06650TJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim kapasitesine ve 6A ortalama doğrultulmuş akıma sahiptir. Forward voltajı 6A akımda maksimum 1.7V'tur. Sıfır reverse recovery time (trr = 0 ns) ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 4-VDFN (5-DFN 8x8) surface mount pakette sunulan bu bileşen, 175°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. Düşük ters kaçak akımı (30 µA @ 650V) ile yüksek gerilim güç dönüştürme uygulamalarında, PFC devreleri, AC/DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama güç kaynakları gibi sistemlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 198pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | 4-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok