Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D06650DJ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D06650DJ
WNSC2D06650DJ Hakkında
WNSC2D06650DJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V DC ters voltaj ve 6A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketi ile sunulan bu diyot, 1.7V ileri voltaj düşüşü gösterir. Zero recovery time karakteristiğine sahip olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 175°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığında çalışır. Ters kaçak akımı 650V'de 30µA ile sınırlıdır. Güç kaynakları, invertörler ve PFC (Power Factor Correction) devreleri gibi yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 198pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok