Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D04650XQ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D04650XQ
WNSC2D04650XQ Hakkında
WNSC2D04650XQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 650V Silicon Carbide Schottky diyotudur. 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde, AC-DC dönüştürücülerde ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde ters toparlanma süresi yoktur (0 ns) ve verimli doğrultma işlemi sağlar. Maksimum 1.7V ön gerilim düşümü ile düşük enerji kaybı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve yalıtılmış tab (isolated) monte edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 125pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok