Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D04650TJ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- 4-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D04650TJ
WNSC2D04650TJ Hakkında
WNSC2D04650TJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında (175°C) çalışmaya uygundur. 1.7V forward voltage karakteristiğiyle enerji kaybı minimuma indirilmiş tasarıma sahiptir. Reverse recovery time'ın 0ns olması, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Surface mount montaj türü ile 4-VDFN (8x8) SMD paketinde sunulan bu diyot; güç kaynakları, DC/DC konvertörleri, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 20µA @ 650V ters sızıntı akımı ile düşük bekleme gücü tüketimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 125pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | 4-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok