Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D04650DJ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D04650DJ
WNSC2D04650DJ Hakkında
WNSC2D04650DJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim derecelendirilmesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 0 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Ön gerilim düşümü 1.7V @ 4A olup, düşük enerji kaybı ile verimli tasarımları destekler. 20µA @ 650V ters sızıntı akımı ve 125pF kapasitansi özellikleri ile AC-DC güç kaynakları, güç dönüştürücüler, boost konvertörler ve endüstriyel elektrik uygulamalarında tercih edilir. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, 175°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 125pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok