Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC201200WQ
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC201200WQ
WNSC201200WQ Hakkında
WNSC201200WQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky güç diyotudur. 20A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-2 paketinde sunulan bu bileşen, sıfır reverse recovery time (trr) özelliğine sahip olup anahtarlama kayıplarını minimize eder. 1.6V maksimum forward voltage düşüşü ve 220µA reverse leakage akımı ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığına dayanıklı tasarımı, endüstriyel invertörler, şarj cihazları, solar panel sistemleri ve motor sürücüleri gibi yüksek frekanslı anahtarlamaya ihtiyaç duyulan devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1.02nF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 220 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok