Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC12650WQ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC12650WQ
WNSC12650WQ Hakkında
WNSC12650WQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-2 paketinde sunulan bu bileşen, 650V ters voltaj (Vr) kapasitesine ve 12A ortalama doğrultulmuş akım (Io) özelliğine sahiptir. Maksimum forward voltajı (Vf) 1.7V'tur. Sıfır reverse recovery time (trr = 0 ns) özelliği sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. 175°C'ye kadar işletilen bu diyot, düşük kapasitans değeri (328pF @ 1V, 1MHz) ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Ters kaçak akımı 650V'ta 60µA olup, güç dönüştürme sistemleri, inverter devreleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 328pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 12 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok