Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC12650T6J
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- 4-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC12650T6J
WNSC12650T6J Hakkında
WNSC12650T6J, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 12A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Schottky teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time (trr) sunarak düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 1.8V maksimum forward voltaj ile yüksek verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir. Surface mount 4-VDFN (5-DFN 8x8) paketinde sunulan bu komponent, 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Fotovoltaik sistemler, switched-mode power supplies (SMPS), motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Aktif üretim durumunda olup, 60µA @ 650V ters kaçak akımı ile düşük kayıp karakteristiği taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 328pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | 4-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 12 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok