Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC10650WQ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC10650WQ
WNSC10650WQ Hakkında
WNSC10650WQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj, 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu diyot, sıfır reverse recovery time özelliğiyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-247-2 through-hole paketinde sunulan bileşen, 1.7V ön voltaj düşümü ve 60µA ters kaçak akımıyla verimli güç yönetimi sağlar. İleri sıcaklıkları 175°C'ye kadar tolere edebilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, inverterler ve yüksek frekanslı doğrultma devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Aktif ürün olması, uzun vadeli tedarik garantisi sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 328pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok