Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC101200WQ
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC101200WQ
WNSC101200WQ Hakkında
WNSC101200WQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 1200V/10A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. Through Hole montajlı TO-247-2 paketinde sunulan bu bileşen, düşük forward voltage (1.6V @ 10A) ve sıfır reverse recovery time (trr = 0ns) özellikleriyle tanımlanır. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Schottky diyot yapısı nedeniyle anahtarlama hızı yüksektir ve enerji kaybı minimum seviyededir. Genellikle güç kaynakları, invertör devreleri, UPS sistemleri ve high-frequency anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 510pF @ 1V, 1MHz kapasitansı ve 110µA @ 1200V ters akım özellikleri ile hassas güç yönetimi gerektiren endüstriyel ve telekomünikasyon sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 510pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 110 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok