Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC101200Q
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC101200Q
WNSC101200Q Hakkında
WNSC101200Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide Schottky güç diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.6V ileri yöndeki voltaj düşüşü ve sıfır reverse recovery time karakteristiği sayesinde anahtarlama güç kayıplarını minimize eder. Maksimum 175°C jonksiyon sıcaklığında çalışabilen ve 1200V ters yöndeki voltajı dayanabilen bu diyot, enerji dönüştürme sistemlerinde, solar inverter uygulamalarında ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri için uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 510pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 110 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok