Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC101200CWQ
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC101200CWQ
WNSC101200CWQ Hakkında
WNSC101200CWQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide Schottky güç diyotudur. 10A ortalama doğrultma akımı ve 1.6V (5A'de) ileri gerilim düşümü ile yüksek hızlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time karakteristiği sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 175°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışır. Enerji dönüştürme, inverter devreleri, AC-DC adaptörleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok