Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC08650T6J
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- 4-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC08650T
WNSC08650T6J Hakkında
WNSC08650T6J, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky güç diyodudur. 650V ters gerilim ve 8A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. Forward gerilim değeri 1.7V @ 8A olarak belirtilmiş olup, reverse recovery time (trr) 0ns'dir. 4-VDFN Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. Düşük ters akım ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde, güç kaynakları, invertörler, sürücü devreleri ve yüksek frekanslı uygulamalarda kullanıma uygundur. 50µA @ 650V ters akım değeri ile düşük sızıntı akımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 267pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | 4-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok