Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC04650T6J
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- 4-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC04650T
WNSC04650T6J Hakkında
WNSC04650T6J, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky güç diyotudur. 650V ters gerilim ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Forward voltajı 1.7V @ 4A ve sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde anahtarlama kayıplarını azaltır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Surface mount 4-VDFN pakette sunulan bu diyot, endüstriyel invertörler, DC-DC konvertörleri, fotovoltaik sistemler ve elektrik araç şarj cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 141pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | 4-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok