Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC021200Q
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC021200Q
WNSC021200Q Hakkında
WNSC021200Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky güç diyotudur. 1200V ters voltaj kapasitesi ve 2A ortalama doğrultulu akım ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan bu diyot, sıfır reverse recovery time (trr) özelliğine sahiptir ve güç dönüştürme, invertör, solar panel sistemleri, EV şarj cihazları gibi endüstriyel ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 175°C junction sıcaklığında çalışabilir ve 1.6V forward voltage ile verimli enerji dönüştürme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 109pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok