Transistörler - IGBT - Tekil
WG50N65DHWQ
IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WG50N65DHWQ
WG50N65DHWQ Hakkında
WG50N65DHWQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V maximum collector-emitter gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 91A sürekli collector akımı kapasitesine sahiptir. Darbe akımında 200A'e kadar çıkabilmektedir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri alanında inverter, konvertör, motor sürücü ve hızlı anahtarlama gereken endüstriyel kontrol devrelerde yaygın olarak tercih edilmektedir. 160nC gate charge değeri ile dengeli bir anahtarlama karakteristiği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olması, çeşitli ortam şartlarında kullanılmasını mümkün kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 91 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 160 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 278 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 105 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.7mJ (on), 600µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 66ns/163ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok