Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
WAB300M12BM3
1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
WAB300M12BM3 Hakkında
Wolfspeed WAB300M12BM3, 1200V ve 300A özelliklerine sahip Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir half-bridge MOSFET modülüdür. İki N-Channel FET içeren bu modül, chassis mount konfigürasyonunda sunulmaktadır. 5.2mOhm'luk on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan komponent, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, inverterler, DC-DC dönüştürücüler ve high-frequency anahtarlama devrelerinde kullanılır. Gate charge değeri 908nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğini destekler. SiC teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklık ortamlarında ve yüksek frekans uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 382A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 908nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24500pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 300A, 15V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 92mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok