Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

VT6Z1T2R

TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
VT6Z1T2R

VT6Z1T2R Hakkında

VT6Z1T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen kompakt bipolar transistör (BJT) dizisidir. NPN ve PNP konfigürasyonlarında tasarlanmış bu komponent, 20V maksimum collector-emitter gerilimi ve 200mA maksimum collector akımı ile çalışır. 6-SMD paketinde sunulan transistör, 150mW güç tüketimine ve 400MHz transition frequency'sine sahiptir. Dc current gain değeri 120 (1mA, 2V koşullarında) olup, saturation voltajı 300mV'dir. Surface mount montajı sayesinde kompakt PCB tasarımlarında kullanılabilir. Sinyal anahtarlama, amplifikasyon ve lojik devre uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition 400MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD
Part Status Active
Power - Max 150mW
Supplier Device Package VMT6
Transistor Type NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok