Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

VT6X12T2R

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
VT6X12T2R

VT6X12T2R Hakkında

VT6X12T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN transistör dizisidir. İki adet NPN transistörü içeren bu komponent, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350MHz transition frequency ile yüksek hızlı sinyal işleme işlemlerinde yer alabilir. 100mA maksimum kolektör akımı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 120 minimum DC current gain (hFE) özelliklerine sahiptir. 6-SMD flat leads package ile yüzey montajına uygun olan komponent, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Analog ve dijital devrelerde amplifier, buffer, driver ve switch uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 350MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power - Max 150mW
Supplier Device Package VMT6
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok