Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
VT6X11T2R
NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Seri / Aile Numarası
- VT6X11T2R
VT6X11T2R Hakkında
VT6X11T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN transistör dizisidir. Tek pakette iki adet NPN transistör bulunur ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 200mA maksimum kollektör akımı, 120 minimum DC current gain (hFE) ve 400MHz transition frequency ile orta frekanslı sinyal işleme ve switching uygulamalarında yer alır. 150mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile düşük güçlü elektronik devrelerde, ses amplifikasyonu, RF sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 6-pin SMD flat lead paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun miniatur formda sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 2V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | VMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok