Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
VT6T12T2R
TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Seri / Aile Numarası
- VT6T12T2
VT6T12T2R Hakkında
VT6T12T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual PNP BJT transistör dizisidir. 6-pin SMD flat lead paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 150mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 300MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 400mV maksimum saturation gerilimi özellikleri ile genel sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve yüzey montajı uygulamaları için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | VMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok