Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

VT6T11T2R

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
VT6T11T2R

VT6T11T2R Hakkında

VT6T11T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual PNP genel amaçlı amplifikasyon transistörü dizisidir. Surface mount VMT6 paketinde sunulan bu komponent, iki bağımsız PNP transistörü içerir. 200mA maksimum collector akımı, 20V collector-emitter breakdown voltajı ve 150MHz transition frequency ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve düşük seviye sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 120 minimum DC current gain (hFE) ve 300mV maksimum saturation voltajı ile güvenilir performans sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında aktif olarak kullanılan bu komponent, kompakt tasarımı nedeniyle portabl cihazlar, ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition 350MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power - Max 150mW
Supplier Device Package VMT6
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok