Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Seri / Aile Numarası
- VT6M1T2CR
VT6M1T2CR Hakkında
VT6M1T2CR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-kanal ve P-kanal MOSFET transistör dizisidir. Logic Level Gate özelliği ile 1.2V düşük sürücü voltajında çalışabilen bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 100mA sürekli drain akımına sahiptir. 3.5Ω maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama performansı sunar. 6-SMD yassı kablolu yüzey montaj paketi içinde bulunan VT6M1T2CR, maksimum 120mW güç dağıtımı kapasitesine ve 150°C çalışma sıcaklığına sahiptir. Düşük giriş kapasitanslı (7.1pF @ 10V) bu transistör, dijital mantık seviyeleri ile uyumlu çalışan anahtarlama uygulamalarında, küçük sinyalli amplifikasyon ve hızlı komutasyon gerektiren devrelerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| FET Type | N and P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 120mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | VMT6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok