Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

VT6K1T2CR

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
VT6K1T2CR

VT6K1T2CR Hakkında

VT6K1T2CR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 2 N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source gerilim ve 100mA sürekli drenaj akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. Logic level gate kontrolü ile 1.2V sürme geriliminde çalışabilir ve 1V eşik gerilimi (threshold voltage) ile düşük voltaj uygulamalarında kullanıma uygundur. 3.5Ω on-resistance değeriyle verimli anahtarlama sağlar. 6-SMD yüzey montajlı paketle kompakt tasarımlar için kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 120mW güç tüketim limiti ile elektronik kontrol, sinyal anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.2V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power - Max 120mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Supplier Device Package VMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok