IGBT Transistörler - Modüller
VS-GB100NH120N
IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- Double INT-A-PAK (3 + 8)
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- VS-GB100NH120N
VS-GB100NH120N Hakkında
VS-GB100NH120N, Vishay tarafından üretilen 1200V/200A kapasiteli IGBT transistör modülüdür. Double INT-A-PAK paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevi üstlenir. Maksimum collector akımı 200A, collector-emitter diyot gerilimi 1200V, Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 100A akımda 2.35V olarak belirlenmiştir. 150°C'ye kadar çalışabilmesi ile endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüleri, inverter devreleri ve motor sürücü uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum harcanan güç 833W'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 8.58 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 833 W |
| Supplier Device Package | Double INT-A-PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok