Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-8EWS10STR-M3
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-8EWS10STR
VS-8EWS10STR-M3 Hakkında
VS-8EWS10STR-M3, Vishay tarafından üretilen genel amaçlı diyot doğrultucu olarak tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1000V DC ters gerilim kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 8A ortalama düzeltilmiş akım derecelendirilmesine sahip olan VS-8EWS10STR-M3, endüstriyel güç kaynakları, AC/DC konvertörler ve doğrultma devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 1,1V maksimum ileri gerilim düşümü ile standart kurtarma karakteristikleri sunar. Standard hız kategorisinde (>500ns) yer alan bu diyot, tasarımı gereği tab yapısı ile termik performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok