Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-8EWF10S-M3
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-8EWF10S
VS-8EWF10S-M3 Hakkında
VS-8EWF10S-M3, Vishay tarafından üretilen 1000V 8A kapasiteli genel amaçlı hızlı geri kazanım (fast recovery) diyottur. TO-252-3 (D-PAK) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 1.3V forward voltajında 8A akım kapasitesine sahiptir. 270 ns reverse recovery time özellikleri sayesinde yüksek frekans uygulamalarında etkili performans sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, AC/DC güç kaynakları, invertör devreleri, motor denetim uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde doğrultma görevini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 100 µA maksimum reverse leakage current ile düşük sızıntı akımı özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 270 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok