Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-6ESH02-M3/86A
DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-6ESH02-M3
VS-6ESH02-M3/86A Hakkında
VS-6ESH02-M3/86A, Vishay tarafından üretilen 200V 6A kapasiteli fast recovery doğrultucu diyottur. TO-277A (SMPC) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 940 mV forward gerilim ve 22 ns reverse recovery time özelliklerine sahiptir. -65°C ile 175°C arasında çalışabilmesi nedeniyle geniş sıcaklık aralıklarında kullanıma uygundur. Güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, ön doğrultma uygulamaları ve endüstriyel elektronik devreler başta olmak üzere, yüksek frekans anahtarlama gerektiren sistemlerde tercih edilir. 2 µA maksimum reverse leakage akımı ile kütlesel sızıntı kaybı minimaldır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940 mV @ 6 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok