Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-4EWH02FN-M3
DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-4EWH02FN
VS-4EWH02FN-M3 Hakkında
VS-4EWH02FN-M3, Vishay tarafından üretilen standart doğrultucu diyottur. 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, maksimum 200V ters gerilim dayanımı ile çalışır. 950 mV forward voltage değeri ile 4A akımda enerji kaybını minimize eder. 20 ns reverse recovery time ile hızlı dönüş karakteristiği gösterir. Surface mount DPak (TO-252) paketinde sunulan bileşen, -65°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve switching power supplies uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok