Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-4ESH02-M3/86A
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-4ESH02
VS-4ESH02-M3/86A Hakkında
VS-4ESH02-M3/86A, Vishay tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 200V ters voltaj ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-277 SMD paketinde sunulmaktadır. 20ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 930mV forward voltage düşüşü ile linear güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi doğrultma uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok