Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-2EFU06HM3/I
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-2EFU06HM3
VS-2EFU06HM3/I Hakkında
VS-2EFU06HM3/I, Vishay tarafından üretilen 600V/2A kapasiteli tek elemanlı doğrultucu diyottur. DO-219AB (SMF) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, AC-DC güç kaynakları, inverter devreler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Fast recovery karakteristiği (55 ns reverse recovery time) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Maksimum 1.35V ön kapanma gerilimi ve 3µA reverse kaçak akımı ile güvenilir doğrultma performansı sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil çalışır ve yüksek güvenilirlik gerektiren endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok