Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-2EFH02HM3/I
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-2EFH02HM3
VS-2EFH02HM3/I Hakkında
VS-2EFH02HM3/I, Vishay tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 200V ters voltaj, 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 25 ns düşük reverse recovery time (trr) ve 500ns'den kısa switching hızı sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Surface mount DO-219AB (SMF) paketinde sunulan bileşen, -65°C ile 175°C arasında çalışır. Forward voltaj 2A'de 950mV'dur. Güç kaynakları, invertörler, SMPS devreleri ve doğrultucu uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok