Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-2EFH01HM3/I
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-2EFH01HM3
VS-2EFH01HM3/I Hakkında
VS-2EFH01HM3/I, Vishay tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 100V maksimum reverse voltaj ve 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile AC/DC dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Fast recovery özelliğine sahip olup 16ns reverse recovery time ile düşük frekans kaybı sağlar. Surface mount DO-219AB paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak yer alır. -65°C ile 175°C arasında çalışır ve 950mV forward voltage karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 16 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok