Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-1EFU06-M3/I
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-1EFU06
VS-1EFU06-M3/I Hakkında
VS-1EFU06-M3/I, Vishay tarafından üretilen 600V 1A kapasiteli genel amaçlı fast recovery diyotudur. DO-219AB (SMF) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 32 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışan kompakt diyot, switching power supplies, converter devreleri ve AC/DC doğrultma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum forward voltajı 1A akımda 1.2V olan bu diyot, düşük ters sızıntı akımı (3µA @600V) sayesinde verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 32 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok