Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
VS-1EFH01-M3/I
DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VS-1EFH01
VS-1EFH01-M3/I Hakkında
VS-1EFH01-M3/I, Vishay tarafından üretilen yüksek hızlı doğrultucu diyotudur. 100V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 16ns ters iyileşme süresi (trr) ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. 930mV iletiş gerilimi (@1A), 2µA ters sızıntı akımı (@100V) ve -65°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güvenilir performans sunar. Surface mount DO-219AB (SMF) paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 16 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok