Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
VQ1001P-E3 Hakkında
VQ1001P-E3, Vishay tarafından üretilen 4 kanal N-Channel MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 830mA sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında switch elemanı olarak kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 5V kontrol sinyalleri ile düşük gerilim uygulamalarında kolaylıkla çalıştırılabilir. 1.75Ω (5V, 200mA) ile belirtilen on-resistance değeri, anahtarlama kaybını sınırlandırır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. 14-DIP paket ile through-hole montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 830mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 4 N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 200mA, 5V |
| Supplier Device Package | 14-DIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok