Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

VEC2616-TL-W-Z

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
VEC2616

VEC2616-TL-W-Z Hakkında

VEC2616-TL-W-Z, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET transistöridir. 60V Drain-Source gerilim ile çalışan bu bileşen, N-kanalde 3A ve P-kanalde 2.5A sürekli drenaj akımını destekler. Logic level gate özelliğine sahip olup 4V ile tahrik edilebilir. 80mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 10nC gate charge ve 505pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Surface mount SOT-28FL/VEC8 paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde yer alır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A, 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate, 4V Drive
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-28FL/VEC8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok