Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
UT6JB5TCR
-40V DUAL PCH+PCH, DFN2020, POWE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Seri / Aile Numarası
- UT6JB5TCR
UT6JB5TCR Hakkında
UT6JB5TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 40V drain-source voltajında 3.5A kontinü akım sağlayabilen bu bileşen, 122mOhm (10V, 3.5A'de) düşük on-resistance değerine sahiptir. 6-PowerUDFN SMD paketinde sunulan UT6JB5TCR, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 2W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 6.2nC ve input kapasitansi 265pF (20V'de) olan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Düşük on-resistance karakteristiği enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok