Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

USB10H

MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
USB10H

USB10H Hakkında

USB10H, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source geriliminde 1.9A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. 170mΩ @ 4.5V Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan USB10H, güç kontrol, anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim devrelerde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan kompakt dizin transistörü, 700mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 4.2nC gate yükü ve 441pF input kapasitesi ile hızlı komütasyon özelliğine sahip olması, sayısal kontrol ve çabuk anahtarlama gerektiren tasarımlarda tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 441pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok