Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
US6X5TR
TRANS NPN 12V 2A TUMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Seri / Aile Numarası
- US6X5TR
US6X5TR Hakkında
US6X5TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistöre (BJT) ait bir tekil komponenttir. 12V maksimum Vce breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile düşük-orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olarak tasarlanmıştır. 360MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine imkân sağlar. 1W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığıyla endüstriyel ortamlarda yer alabilir. DC current gain (hFE) minimum 270 değeri ile yeterli amplifikasyon özellikleri sunar. 6-SMD flat leads paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur. Ses amplifikasyonu, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreler ve genel amaçlı amplifier uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
| Frequency - Transition | 360MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TUMT6 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok