Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

US6X3TR

TRANS NPN 12V 3A TUMT6

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
US6X3TR

US6X3TR Hakkında

US6X3TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 12V kollektör-emitter kırılma gerilimi ve 3A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 360MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri için tasarlanmıştır. 400mW güç dağıtım kapasitesi ve 250mV doyum gerilimi ile DC ve darbe uygulamalarında tercih edilir. 6-SMD yassı bacak paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir. Ses amplifikatörleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 360MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 400 mW
Supplier Device Package TUMT6
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok