Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

US6M2TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
US6M2TR

US6M2TR Hakkında

US6M2TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel ve P-channel MOSFET transistörlerinin entegre edildiği dual FET dizisidir. TUMT6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, N-channel transistörde 30V ve P-channel transistörde 20V drain-source gerilim desteği sağlar. Maksimum 1.5A sürekli drenaj akımı ve 240mOhm RDS(on) değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1W güç sınırlaması, 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve düşük gate charge (2.2nC) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama ve enerji verimli tasarımlar için uygundur. Güç yönetimi, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok