Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

US6M2GTR

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
US6M2GTR

US6M2GTR Hakkında

US6M2GTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel ve P-channel MOSFET çiftini içeren surface mount transistör dizisidir. 2.5V drive voltajı ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. N-channel kanalda 1.5A sürekli drain akımı ve 240mOhm Rds(on) değerine sahipken, P-channel kanalda 1A akımı ve 390mOhm direnç değeri sunmaktadır. Maksimum Drain-Source gerilimi 30V/20V'dir. 6-pin TUMT6 SMD pakette sunulan bu bileşen, 150°C işletme sıcaklığında 1W güç tüketebilmektedir. Düşük gate charge (2.2nC/2.1nC) ve düşük input kapasitansı (80pF/150pF) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Motor kontrol, power management, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok