Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

US6M1TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
US6M1TR

US6M1TR Hakkında

US6M1TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N/P-channel MOSFET transistördür. 30V (N-channel) ve 20V (P-channel) drain-source gerilimi desteği ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olması, 5V kontrol sinyalleri ile doğrudan sürülebilmesini sağlar. 1.4A ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesi, düşük 240mOhm on-resistance değeri ve kompakt 6-SMD TUMT6 paket ile güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüsü ve anahtarlama devrelerinde tercih edilen bir çözümdür. Maksimum 1W güç dağıtımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama aralığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok