Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Seri / Aile Numarası
- US6M11TR
US6M11TR Hakkında
US6M11TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel MOSFET'leri tek pakette barındıran bu bileşen, 20V N-channel ve 12V P-channel drain-source gerilim desteği sağlar. Logic level gate kontrolü özelliğine sahip olan transistör, 1.5A (N-ch) ve 1.3A (P-ch) sürekli drenaj akımında çalışabilmektedir. Düşük gate charge (1.8nC @ 4.5V) ve optimized RDS(on) değerleri (180mOhm @ 1.5A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans gösterir. 6-SMD TUMT6 paketinde sunulan bileşen, motor kontrol devreleri, güç yönetimi, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında ve 1W güç dissipasyonu altında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A, 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V, 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TUMT6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok