Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

US6J12TCR

1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
US6J12TCR

US6J12TCR Hakkında

US6J12TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 12V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 1.5V düşük gate sürüş voltajı ile entegre devrelerin doğrudan kontrolünde kullanılabilir. 105mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount TUMT6 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 910mW maksimum güç dissipasyonu desteği vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power - Max 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok